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  • 檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "周賢鎧".cadvisor (精準) and ckeyword.raw="電阻式記憶體"


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    界面氧化鋁對Al/TaOxNy/TaN及TaN/TaOxNy/Al元件之雙極式電阻切換影響
    • 材料科學與工程系 /101/ 碩士
    • 研究生： 黎佳惠   指導教授： 周賢鎧
    • 本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
    • 點閱：312  下載：8 

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    共濺鍍法沉積銅摻雜二氧化矽薄膜的電阻切換特性之研究
    • 應用科技研究所 /98/ 碩士
    • 研究生： 利嘉仁   指導教授： 周賢鎧
    • 本研究使用Cu和SiO2靶材以共濺鍍法製備50nm厚之Cu-SiO2薄膜，Cu-SiO2薄膜之Cu/(Cu+Si)原子比為19.9%，經由XPS和TEM之結果可以確認中間層的型態為大小約為4~6nm…
    • 點閱：275  下載：9 

    3
    電漿氧化成長氧化鋁與氧化鋁-氧化銅介電層之單極式電阻切換研究
    • 材料科學與工程系 /100/ 碩士
    • 研究生： 吳雅婷   指導教授： 周賢鎧
    • 本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
    • 點閱：198  下載：14 

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    二硫化錸薄膜之雙極式電阻式記憶體
    • 材料科學與工程系 /111/ 碩士
    • 研究生： 楊季陶   指導教授： 周賢鎧
    • 本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
    • 點閱：189  下載：0 
    • 全文公開日期 2025/08/15 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/15 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/15 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    Cu2O介電層膜厚對Ti/Cu2O/Ti元件電阻切換之影響
    • 材料科學與工程系 /103/ 碩士
    • 研究生： 王浩宇   指導教授： 周賢鎧
    • 本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極，氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層，利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上，並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…
    • 點閱：280  下載：19 
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